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基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一）

作者：佚名来源：网上收集发布时间：2006-5-22 18:14:23

基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一） (也是抄的)
最近看到很多朋友在设计基于S3C4510B的系统时，碰到了 Flash不能正确烧写或擦除的问题，下面根据我的理解对这个问题的作一个说明，以期抛砖引玉：不同于其他的ARM处理器（如44B0），S3C4510B的每一个bank的地址都是可以通过重映射改变的，因此，系统的存储器，无论是 Flash还是SDRAM，其起始地址都不是固定的，而对 Flash的擦除，必须知道它的起始地址，否则就不能正确操作，这就是为什么很多朋友不能正确擦除 Flash的原因。以一般的系统设计为例，Flash使用2M、4M或8M，16位数据宽度，对应到 Flash/ROM/SRAM的Bank0，SDRAM采用两片16位宽度的器件，并联构成32位的SDRAM存储器系统，对应到SDRAM的Bank0，那么，在 Flash的内容为空时，当系统上电或复位后，能直接访问到的只有特殊功能寄存器（SFR）对应的Bank（其首地址为0x3FF0000），和 Flash/ROM/SRAM的Bank0（其首地址为0x0），而SDRAM此时是访问不到的。此时，如果我们想对 Flash进行编程或擦除操作，该怎么办呢？显然，要对 Flash进行编程或擦除操作，必须通过编程完成，而程序此时只能在SDRAM中运行（如果程序不太大，也可放在S3C4510B片内的SRAM中运行。），所以，我们要做的第一步，就是通过配置相应的特殊功能寄存器，将SDRAM映射出来，使其可以被访问到。下面是我的一个特殊功能寄存器配置文件，名为：mymap.txt，放在C盘根目录下。 setmem 0x3ff0000,0xE7ffff90,32 setmem 0x3ff3010,0x00003002,32 setmem 0x3ff3014,0x02000060,32 setmem 0x3ff302c,0x14010380,32 setmem 0x3ff303c,0xce338360,32 我使用的硬件是2MB的 Flash，16MB的SDRAM。在ADS中打开命令窗口，执行如下命令： >obey c:mymap.txt 此时，2MB的 Flash存储器和16MB的SDRAM已分别映射到地址空间的0x0000,0000～（0x0020,0000-1）和0x0040,0000～（0x0140,0000-1）处。编写一个 Flash的擦除程序，由Init.s文件和Main.c文件构成。 Init.s文件的代码如下： IMPORT MainAREA Init,CODE,READONLYENTRYBL MainB .END Main.c文件的代码如下：#define UINT16 unsigned short#define AM_START_ADDR 0x0 //此处为 Flash的起始地址，设为0 #define AM_ADDR_UNLOCK1 0x555#define AM_ADDR_UNLOCK2 0x2aa#define AM_DATA_UNLOCK1 0xaaaa#define AM_DATA_UNLOCK2 0x5555#define AM_SETUP_WRITE 0xa0a0#define AM_SETUP_ERASE 0x8080#define AM_CHIP_ERASE 0x1010#define AM_SECTOR_ERASE 0x3030#define AM_RESET 0xf0f0int Main(){ *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2;*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_SETUP_ERASE; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_CHIP_ERASE;return(0); }注：系统使用的 Flash为29LV160B，其他型号的 Flash，命令字有一些区别。系统使用的SDARM为HY57641620B 建立一个工程文件，包含以上两个文件。由于要将该擦除程序放在SDRAM中运行，而根据前面的映射，SDRAM的起始地址为0x0040,0000，所以要修改连接器的选项，将代码的装入地址改为0x400000（默认为0x8000）。编译生成可执行映象文件，装入系统的SDRAM（0x0040,0000处）运行，就可擦除 Flash。您瞧，Flash的擦除多么简单。但是，当 Flash中已有一个程序在运行时，情况就不太一样了。当 Flash中有程序运行时，一般都要将系统的存储器由初始化状态进行重映射，常用的方式是将SDARM映射到0x0处，而 Flash则被映射到其他地方去了（如uClinux运行时，Flash被重映射到0x100,0000处），此时 Flash的首地址也就不再是0x0了，再用以上的程序去擦除，显然就不能成功。怎么办？？？要原封不动的使用上面的程序，只有将 Flash的首地址再映射回0x0。打开ADS的命令窗口，执行如下命令： >obey c:mymap.txt 此时Flash被我们搬回了0x0处，SDRAM被搬回0x40,0000处，运行上述程序，Flash被擦除。一点小注意：有时，Flash中原来的程序初始化了很多中断，而我们的擦除程序为简洁，对中断未作处理，可能会出现当我们装入程序到SDRAM中运行时，一开始就跑飞，这是因为产生了中断。在运行之前，先将0x3ff4008(中断屏蔽寄存器)的值改为0x3fffff，屏蔽所有的中断，然后运行，就好了。以上是一个最简单的思路，有点班门弄斧，请大家跟贴指正。下一部分讨论Flash的烧写。

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